Samsung, 3nm GAA Teknolojisiyle Intel ve TSMC’nin Önüne Geçti

Samsung, bu yıl 3GAE (3nm-sınıfı, gate-all-around) süreç teknolojisini kullanarak hacimli çip üretimine başladığını duyurmuştu. Şirket duyurusunda ser verip sır vermezken bu öncü teknolojilerin hangi cihazlarda kullanılacağından hiç bahsetmedi. Görünüşe göre şirket, kripto para madenciliği için özel bri entegre devre (ASIC) üretmek üzere 3GAE tekniğini kullanıyor.

3GAE üretim teknolojisi, Samsung’un MBCFET’ler (multi-bridge channel field-effect transistors) olarak adlandırdığı gate-all-around (GAA) transistörlere dayanıyor. GAAFET özellikle yüksek performanslı ve mobil çözümler için faydalı. Bu nedenle Intel ve TSMC gibi şirketler 2024 – 2025 yıllarında bu sürece geçiş yapmak için mesai harcıyor.

TrendForce tarafından gelen haberlere bakacak olursak, GAAFET teknolojisinden ilk olarak kripto madenciliğinde kullanacak ASIC’ler yararlanacak. Firma analistleri, Güney Koreli şirketin 3GAE sürecini mobil işlemcilere önümüzdeki yıl getireceğini söylüyor.

Kripto para madenciliğinde kullanılan çipler nispeten basit ve küçük yapıdadır. Operasyonlarda verimlilik elde etmek için çok sayıda benzer çip bir araya gelir. Nitekim yeni üretim teknolojilerinin bu tür yapılandırmalar için büyük avantajlar sağlaması bekleniyor.

Farklı transistör yapıları kullanan mobil SoC’ler ise sayısız bilgi işlem birimini içinde barındırmakta. Bu nedenle Samsung’un performans, verimlilik ve yoğunluk hakkında daha fazla bilgi edinmesi için kripto ASIC’lerini kullanması mantıklı. Çinli SMIC, benzer şekilde 7nm sınıfı teknolojilerini test etmek için MinerVa madencilik ASIC’ini kullanmıştı.

Samsung, yeni nesil üretim teknolojileri söz konusu olduğunda genellikle resmiyette TSMC ve Intel’in önünde gidiyor. Ancak çoğu durumda TSMC’de üretilen benzer çipler daha yüksek verimlilik ve performans sağlıyor.

Yorum yapın

vozol 10000 vozol 12000 vozol 12000 vozol 10000 vozol puff dizipal